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4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型
- 關鍵字:
- 4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type
- 產品概述:
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產品名稱
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4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)
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常規尺寸
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dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm
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技術參數
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4H-SiC薄膜晶向: |
| 4H-SiC薄膜厚度(film target thickness): | 4.3um ±10% | 4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) : | 1.4E17/cc +0% /- 30% | 載流子濃度: | (3~ 10)E16 /cc | 導電類型: | P型 | 拋光情況: | 雙面拋光 | 4H-SiC基片晶向: | (10-10); OF length: 15.9 +/- 1.7 mm | 4H-SiC基片尺寸: | dia 2 inch x330±25un | IF orientation : | 90 degree cw. from OF +/- 5 degree | IF length: | 8.0 +/- 1.7 mm | 4H-SiC基片電阻率: | < 0.03 ohm-cm | 4H-SiC拋光: | Si面CMP單拋 | 邊緣排除: | 1mm |
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標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝或單片盒裝
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